Transistor:

Es un dispositivo electrónicosemiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador.

su nombre significa resistencia de transferencia.

HISTORIA: 

El transistor bipolar fue inventado en los laboratorios Bell de los EE.UU en 1947 por John  Bardeen, Walter HouserBrattain y William Bradford Shockley, quienes fueron galardonados con el premio NOVEL DE FÍSICA en 1956. Fue el sustituto de la válvula termoionica de tres electrodos, o triodo.




El transistor de efecto de campo fue descubierto en 1930, pero no se le encontró una aplicación útil, ni se disponía de la tecnología necesaria para fabricarlos masivamente.


Es por ello que al principio se usaron transistores bipolares y luego los denominados transistores de efectos de campo (FET). En los últimos, la corriente entre el surtido o fuente (source) y el drenaje (drain) se controla mediante el campo electrico establecido en el canal, Por ultimo, aparecio el MOSFET (transistorio FET de tipo metal-oxido-semiconductor). Los MOSFET permitieron un diseño extremadamente compacto, necesario para los circuitos altamente integrados (CI).

Tipos de transistores:

llamado tambien transistor de punta de contacto, fue el primer transistor capaz de obtener ganancias, inventando en 1947 por john bardeen y walter brattain. consta de una base de germanio, semiconductor para entonces mejorar conocido que la combinacion cobre- oxido oxido de cobre,sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metalicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de base es capax de modular la resistencia que se  "ve" en el colector, de ahi el nombre de transfer resistor. se basa en efecto de superficie, poco conocidos. Es dificil de fabricar (las puntas se ajustan a mano), fragil(un golpe podia desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo convivio con el transistor de union ( W. Shockley, 1948) debido a su mayor ancho de banda. En la actualidad ha desaparesido.

Transistor de union bipolar:

se fabrica basicamentesobre un monocristal  de Germanio, Silicio o Arseniurode galio, que tiene cualidades de semiconductor, estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante, se contamina en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP.
La zona N con elementos donantes de elctrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores (cargas positivas). Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al Indio (In). Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsenico (As) o Fosforo (P).
La configuracion de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra intermedia siempre corresponde a la caracteristica de la base, y las otras dos  al emisor y al colector que, si bien son  del mismo  tipo y de signo contrario a la base, tiene diferente contaminacion entre ellas (por lo general, el emisor  esta mucho mas contaminado que el colector).

Transistor de efecto de campo:

fue el primer transistor de efecto de campo en la practica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto ohmico, tenemos asi un transistor de efecto de campo tipo N de la forma mas basica si se difunden dos regiones P en una barra de material N y se conectan externamente entre si, se produciria una puerta. A uno de estos contactos le llamaremos surtidor y al otro drenador. Aplicando tension positiva entre el drenador y el surtidor y conectando la puerta al surtidor, estableseremos una corriente, a la que llamaremos corriente de drenador con polarizacion cero. Con un potencial negativo de puerta al que llamamos tyencion de estrangulamiento, cesa la conduccion  en el canal.

Foto transistor:

Los fototransistores son sensibles a la radiacion electromagnetica en frecuencias cercanas a la de la luz visibles; debido a esto su flujo de corriente puede ser regulado por medio de la luz incidente. un fototransistor es, en esencia, lo mismo que un transistor normal, solo que puede trabajar de dos maneras diferentes:

• Un tansistor normal con la corriente de base (IB)(modo comun).
• Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente de base. (IP)(modo de iluminacion).

Transistores y electronica de potencia:

Con el desarrollo tecnologico y evolucion de la electronica, la capasidad de los dispositivos semiconductores para soportar cada vez mayores niveles  de tension  y corriente ha permitido su uso en aplicaciones de potencia. es asi como actualmente los transistores  son empleados en conversores estaticos de potencia, controles para motores y llaves de alta potencia (principalmente inversores), aunque su prinsipal uso esta basado en la amplificacion de corriente dentro de un circuito cerrado.